银河优越会

    我们非常重视您的个人隐私，当您访问我们的网站时，请同意使用的所有cookie。有关个人数据处理的更多信息可访问《隐私政策》

    首页
    产品中心
    人才招聘
    关于银河优越会
    可持续发展
    GaN驱动芯片

    产品中心

    高压半桥GaN驱动芯片

    NSD2621是银河优越会最新推出的专为GaN设计的高压半桥驱动芯片。该芯片采用了银河优越会的成熟电容隔离技术，高边驱动可以支持-700V到+700V的共模电压，150 V/ns的SW电压变化斜率，同时具有低传输延时和低通道间延时的特性。两通道均能提供2A/-4A的驱动能力。

    高低边的驱动级都采用了专门的电压调节器，以确保驱动电压在GaN栅极可接受的稳定范围内，使得GaN不论在何种情况下，都能正常工作。同时具备了UVLO保护功能，保护电源系统工作安全。

    产品特性

    - 高压侧电压范围：+/-700V；

    - 高低边独立 UVLO 保护功能；

    - +2/-4A 驱动电流能力;

    - 内置LDO，使驱动电压更稳定可靠;

    - 低于 60ns 传播延时，低于 10ns 高低边延时匹配;

    - +5/-5V 逻辑地偏置;

    - 150V/ns 的高压侧 dV/dt 抗干扰能力;

    - Operation ambient temperature:-40℃ ~125℃

    - 封装形式: LGA (4*4mm)

    - 驱动电压输出NSD2621A: 6V/ NSD2621B: 5.5V/ NSD2621C: 5V

    应用场景

    - 半桥、全桥、LLC电源拓扑

    - 适配器高密电源

    - 太阳能、电机驱动及新能源领域

    功能框图

    3.jpg

    如您需要咨询产品更多信息，请点击“联系我们”，我们将尽快回复您!