银河优越会

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    >100V半桥驱动

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    >100V半桥驱动

    银河优越会的中低压半桥驱动芯片集成了高侧和低侧驱动器,可以承受100V以上的直流电压。该类型产品具有多个封装类型,小封装给高集成度系统带来了便利。该类型产品广泛应用在工业、通信、新能源汽车等不同领域的开关电源和电机控制设计中。

    产品选型表

    • 驱动对象
      MOSFET
      IGBT
      GaNFET
    • 峰值驱动电流 (A)
      3/-4
    • 输出通道
      2
    • 母线电压(V)
      115
    • VCC(Max)(V)
      20
    • 传播延时(Max) ton/off(ns)
      35/35
    • 延迟匹配(ns)
      5
    • 特性
      UVLO
      Interlock
      Enable
    • 工作温度 (°C)
      -40~125
    • 产品等级
      车规级
      工业级
    • 封装
      DFN10
      SOP8

    显示 种器件

    产品名称 ECAD Model 驱动对象 峰值驱动电流 (A) 输出通道 母线电压(V) VCC(Max)(V) 传播延时(Max) ton/off(ns) 延迟匹配(ns) 特性 工作温度 (°C) 产品等级 封装
    NSD1224LA-DAFR
    MOSFET/GaNFET
    3/-4
    2
    115
    20
    35/35
    5
    UVLO, Interlock, Enable
    -40~125
    工业级
    DFN10
    NSD1224LA-DSPR
    MOSFET/GaNFET
    3/-4
    2
    115
    20
    35/35
    5
    UVLO, Interlock
    -40~125
    工业级
    SOP8

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