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      隔离半桥驱动

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      集成米勒钳位功能的隔离式双通道栅极驱动器

      NSI6602M是一款集成米勒钳位功能的隔离式双通道栅极驱动器,专为驱动IGBT、功率MOSFET及SiC MOSFET而设计。能够提供5A/5A的拉灌电流,米勒钳位电流高达5A,typical 150 kV/μs共模瞬变抗扰度(CMTI)确保了系统的鲁棒性。该驱动器的最大耐压为35V,输入侧电源电压范围为3~5.5V,并具备欠压锁定(UVLO)保护。NSI6602M凭借其高驱动电流能力、双通道米勒钳位功能、出色的耐用性、宽电源电压范围及快速信号传播能力,广泛适用于高可靠性、高功率密度及高效率的开关电源系统。

      产品特性

      - 隔离式双通道驱动器

      - 输入侧电源电压:3V~5.5V

      - 驱动器侧电源电压:最大耐压35V,具有UVLO功能

      - 峰值5A/5A拉灌电流能力

      - 支持Miller Clamp功能,电流高达5A

      - 高CMTI:typical 150kV/μs

      - 典型传播延迟:80ns

      - 最大延迟匹配:5ns

      - 最大脉冲宽度失真:25ns

      - 可编程死区时间

      - 接受最小输入脉冲宽度:30ns

      - 工作温度: -40℃~125℃

      - AEC-Q100认证

      安全认证

      - UL1577认证:

         SOW18:1分钟 5kVrms

      - CQC认证:符合GB4943.1-2011

      - CSA认证:组件符合5A

      - VDE认证:DIN V VDE V 0884-11:2017-1


      应用场景

      - 服务器,电信和工业中的隔离式DC-DC和AC-DC电源

      - DC-AC太阳能逆变器

      - 电机驱动和EV充电

      - UPS和电池充电器

      功能框图

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